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有源器件双极晶体管及其版图

2015-4-22 11:25| 发布者: 闪电| 查看: 60| 评论: 0

摘要: 下图是一个NPN晶体管的简化模型,二极管D1代表晶体管的发射结、电流控制电流源I1代表通过反偏集电结的少子电流。电流增益是βF。端电流有如下关系:IC=βF*IB。 与MOS管不同,BJT要求有稳定的基极电流以维持集电极 ...


    4.NPN晶体管的饱和状态

    当NPN晶体管的发射结和集电结都处于正偏时就会进入饱和工作状态。经常有意使功率晶体管进入饱和工作状态可以减低集电极-发射极饱和压降VCE并使功耗达到最小。然而遗憾的是,饱和状态也会带来很多问题。双极型晶体管意外进入饱和状态将比其他与设计相关的缺陷引发更多的电路故障。

    饱和工作状态对分立和集成晶体管具有不同的影响。对于分立晶体管,饱和状态只会延长关断时间。高速晶体管电路通常内含抗饱和和位电路,或者采用可防止发生饱和的电流结构。

    饱和情况对于结隔离工艺制作的双极型晶体管会带来更多影响。如下图



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