有源器件双极晶体管及其版图

    2．雪崩击穿

    发射结和集电结的击穿决定了一个双极型晶体管的最大工作电压。重要的三种击穿电压为VEBO，VCBO，VCEO等。

图 NPN晶体管的理想ＶeBo，ＶcBo和Vceo曲线轨迹图

    1）集电极开路时发射结击穿电压表示为VEBO。对于标准双极型工艺制造的NPN晶体管，VEBO大约7V左右。

    2）发射极开路时集电极的击穿电压表示为VCBO，绝大多数晶体管的集电区和基区都是轻掺杂的，所以VCBO通常很大，对于标准双极型工艺制造的NPN晶体管VCBO的值从20V-120V。

    3）基极开路时集电极和发射极间的击穿电压用VCEO表示，由于β倍增效应，VCEO比VCBO要小得多。

    4）基极和发射极短接时，集电极和发射极之间的击穿电压用VCES表示。

    5）基极和发射极之间连接电阻，发射极和集电极间的击穿电压为VCER