有源器件双极晶体管及其版图

    与MOS管不同，BJT要求有稳定的基极电流以维持集电极电流，因此双极型晶体管经常被称做电流控制型器件。这其实是一种误解，因为晶体管还可以被发射结电压驱动，该电压使D1导通并且为晶体管提供基极电流

    晶体管处于正常放大区时，集电极电流IC，发射结电压VBE，发射极饱和电流IS，热电压VT之间有如下关系：，

    发射极饱和电流　由很多因素决定，包括基区和发射区扩散的杂质分布以及发射结的有效结面积。热电压VT与绝对温度线性相关，在298K（25°C）时为26mV。发射结电压表现为负温度系数，约为-2mV/°C。

    1．β值下降

    β值受集电极电流的影响变化很大。下图显示了标准双极型工艺制造的小信号NPN管和横向PNP管的典型β曲线。