4．模拟BiCMOS双极型晶体管 N阱相对较浅的结深限制了CDI NPN晶体管的工作电压通常只有15~20V，有一种结构可以提高工作电压，但要以减小安全工作区面积和降低厄利电压为代价。与CDI NPN管相比，基区晶体管没有采用N阱。与CDI NPN管相比，这种扩展基区结构具有更高的平面集电结击穿电压。
图 扩展基区NPN晶体管的版图和剖面图 |
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