2．改进型的CMOS工艺PNP晶体管 改进型的CMOS工艺PNP晶体管如下图所示，它使用环形多晶硅栅作为中性基区的场板。
图CMOS工艺横向PNP晶体管的版图和剖面图 3．浅阱晶体管 通常使用3种阱，深N阱用于高压PMOS，浅N阱用于低压PMOS，浅P阱用于低压NMOS。 浅阱晶体管主要表现出以下两个问题：基区穿通和表面沟道的形成。
图 COMS工艺浅阱NPN晶体管的剖面图和版图 |
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