1．CMOS工艺PNP晶体管 图A叉指状版图非常有用。这种晶体管采用长的最小宽度条状PMoat作为发射区，并与条状NMoat区相互间隔。器件中尽量少做发射区接触孔以将发射区去偏压限制在几百个微伏以内。 如果去偏压不是很严重，则采用大的方形发射区并在中心放置一个小接触孔的结构，可获得更好的特性。如图B所示。
图 CMOS工艺衬底PNP晶体管版图：（A）采用叉指状发射区； （B）采用小接触孔大面积发射区 |
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