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有源器件双极晶体管及其版图

2015-4-22 11:25| 发布者: 闪电| 查看: 36| 评论: 0

摘要: 下图是一个NPN晶体管的简化模型,二极管D1代表晶体管的发射结、电流控制电流源I1代表通过反偏集电结的少子电流。电流增益是βF。端电流有如下关系:IC=βF*IB。 与MOS管不同,BJT要求有稳定的基极电流以维持集电极 ...


    5.超βNPN晶体管

    某些标准双极工艺流程中提供工艺扩展用于制造具有极高β值的晶体管,这些器件被称为超β晶体管。

    β值超过5000的晶体管是可以制造的,但是这些晶体管的厄利电压和穿通电压只有几个伏特。所以超β晶体管只有在极限情况下才会使用。

    下图两种晶体管的唯一区别是对扩散区扩散的选择。经过修改的发射区扩散可以生成小于0.1um的有效中性基区宽度。

图 剖面图比较:(A)标准双极型NPN晶体管;(B)超βNPN晶体管



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