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有源器件双极晶体管及其版图

2015-4-22 11:25| 发布者: 闪电| 查看: 35| 评论: 0

摘要: 下图是一个NPN晶体管的简化模型,二极管D1代表晶体管的发射结、电流控制电流源I1代表通过反偏集电结的少子电流。电流增益是βF。端电流有如下关系:IC=βF*IB。 与MOS管不同,BJT要求有稳定的基极电流以维持集电极 ...


    4.高电压双极型晶体管

    通常击穿电压由版图形状决定。当版图中存在尖锐的拐角时,扩散结的击穿电压就会略有下降。

图 含有圆形倒角的高压NPN晶体管:(A)只将基区改为圆角;

    (B)将基区,NBL和隔离区都改为圆角

    1)图A的晶体管只将基区扩散的拐角改为圆形倒角,此举足以获得所要求的VCEO。

    2)图B将基区NBL和隔离区的拐角都做成圆角的NPN晶体管。



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GMT+8, 2015-4-22 11:27 , Processed in 0.095074 second(s), 22 queries .

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