有源器件双极晶体管及其版图

    1）横向PNP管的β值至少同5个因素有关：发射注入效率，基区掺杂，基区复合率，基区宽度和集电极效率。

    2）版图设计者可以通过拉近或分开发射区和集电区的间距来改变基区宽度。

    构造小信号横向PNP晶体管，横向PNP晶体管通常由一个小的塞子状的基区扩散区和一个较大的环形基区扩散区组成。

图 横向PNP晶体管版图，其中标示了发射区场板

    1）中心的塞子状的基区扩散区是晶体管的发射区，周围环状的基区扩散区是集电区。

    2）场板阻止了由于电荷分散或与邻近集电区间电场的相互作用而引起的表面反型或堆积。