2)下图为一金属-多晶硅-硅堆叠电容。这种结构并联两薄层介质从而产生极高的单位面积电容值。两个极板具有截然不同的寄生效应。夹在金属和硅之间的多晶硅极板几乎没有寄生电容。N阱/多晶硅极板则由于N阱/衬底结从而具有很大的寄生电容。
图 金属-多晶硅-硅堆叠电容
|
|关于本站|小黑屋|Archiver|手机版|无线电爱好网
( 粤ICP备14010847号 )
GMT+8, 2015-6-3 09:04 , Processed in 0.116692 second(s), 22 queries .
Powered by Discuz! X3.2 Licensed
© 2001-2013 Comsenz Inc.