4)虽然结处在微弱的正偏状态能得到更大的电阻值,但是在高温下很难防止导电。虽然某些电路结构确实采用正偏的PN结对结电容两端的电压进行箝位,但大多数结电容都会一直保持反偏状态。 5)结电容的击穿电压通常很小。标准双极发射结电容的雪崩击穿电压为6.8V。 6)通过在发射区上覆盖金属板形成电容器的方法可以略微增大结电容的值。 7)发射区-隔离区漏电不严重的工艺可以把发射区直接做在隔离区上形成结电容。
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