1.发射结电容 1)结电容通常作在隔离岛内,隔离岛必须制作接触以确保集电结反偏,该接触也是的集电结和发射结并联,从而增大了总电容。
图 基极极板扩展进入隔离岛的结电容 2)上图中的电容由两套从中部公共隔离岛/发射区接触伸出的叉指组成,这种布局有助于减小叉指长度和寄生电阻。 3)在BiCMOS工艺中,可在P型外延层中制作基区-NSD结电容。
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