无源器件电容及其版图

    2．集成电容类型

    1）发射结电容：标准双极工艺和BiCMOS工艺都能提供发射结电容。在零偏压下，这种电容能提供较大的单位面积电容（典型值为0.8fF/um2）,但这种电容会随着反偏电压的增大而逐渐减小。

    2）MOS电容：用作电容的MOS晶体管的两种期望的偏置模式为：积累或强反型。MOS晶体管不适合作为电容使用，但它在CMOS工艺中往往是唯一的选择。

    3）多晶硅-多晶硅电容：很多CMOS和BiCMOS工艺已经包含了多层的多晶硅，所以多晶硅-多晶硅电容不需要额外的掩模步骤。多晶硅栅可以用作多晶硅-多晶硅电容的下电极，电阻多晶硅层可以用作形成上电极。

    4）堆叠电容：多层金属相互交叉形成堆叠电容器，可以部分解决单位面积电容较小的问题。

    5）横向通量电容：电容产生的电场方向和芯片表面平行，这些电容被称作是横向通量电容。

    6）高介电常数电容：使用高介电常数的电介质，利用相对较小的区域制作大电容器。