无源器件电容及其版图

    6）光刻效应

    光刻能以不同的方式引入系统适配。曝光过程中会发生光学干扰和侧壁反射，显影过程中会发生刻蚀速率变化。这些机制会引起线宽的变化，对交在的图形结构尤其注意。

    7）扩散相互作用、氢化、机械应力和封装漂移等

    2．电容的匹配规则

    匹配电容应采用相同的图形。

    精确匹配电容应该采用正方形。

    使匹配电容大小适当。

    匹配电容相邻摆放。

    把匹配电容放置在场氧化层之上。

    把匹配电容的上级板连接高阻节点。

    沿着阵列的外围设置虚拟（陪衬）电容。

    对匹配电容进行静电屏蔽。

    交叉耦合电容阵列。

    考虑与电容相连的导线电容。

    不要在没有进行静电屏蔽的匹配电容上走线。

    应优先使用后氧化层电介质而非薄氧化层或复合电介质。

    把电容尽量放在低应力梯度区域。

    匹配电容应远离功率器件。

    沿管芯对称轴放置精确匹配电容。