无源器件电容及其版图

    4）版图移位

    衬底表面的不连续并不总能完全的复制到最终的硅表面。在外延生长过程中，这些不连续常常横向移位，这种效应称为版图移位。优势这些不连续的各边的偏移量不同，从而引起版图失真。表面不连续在外延层生长中偶尔会完全消失，从而引起版图冲失。版图移位、失真、冲失是同一个潜在现象的不同表现。

    5）刻蚀速率的变化

    多晶硅-多晶硅电容有着与多晶硅电阻一样的刻蚀速率变化。当对电容阵列进行匹配使，虚拟（陪衬）电容应该放置在电容阵列的四周。见下图。