1)随机变化 所有器件在尺寸和结构上都表现为微观的不规则性。这些不规则性范围内为两大类:一类只能发生在边缘,称为边变化;另一类则发生在整个器件上,称为面变化。大部分集成器件匹配主要取决于面变化。 对于电容,任意两个电容C1,C2间的失配为: 匹配电容中较小者对失配起主要作用。 2)工艺偏差 硅片上生产出来的图形尺寸不会与版图数据的尺寸完全匹配,因为在光刻、刻蚀、扩散和离子注入过程中图形会收缩或扩张。图形的绘制宽度与实际测量宽度之差构成了工艺偏差。工艺偏差也会对电容引入系统失配。理论上,当匹配电容的面积-周长比相等时,它们对工艺偏差不敏感。对于两个等值电容的情况,可以通过采用相同形状的电容来实现。
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