发生雪崩击穿前的最小电容大约是零偏压电容值Cp的40%~50% 7)下图为用作MOS电容的NMOS器管曲线。
图 用做电容的MOS管的一般特性。源极和漏极的连线形式不同会得到不同的曲线 1.电容的失配 电容的失配来源于工艺偏差、接触电阻、电流不均匀流动、扩散相互影响、机械应力、温度梯度以及其他因素。下面是一些主要的失配因素:
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