无源器件电容及其版图

    2．电压调制和温度变化

    1）结电容的电容受偏压影响最大，因为PN结两端的反向偏压会对耗尽区宽度产生调制作用。

    2）薄膜电容也存在类似的效应，因为一个（或两个）电极有掺杂的硅组成，因此易受耗尽效应的影响。

    3）MOS电容特别容易受耗尽区调制效应的影响，因为它的下极板是轻掺杂的，因此容易耗尽。

    4）极板相对重掺杂的多晶硅-多晶硅电容也会因为多晶硅的耗尽而出现小的电压非线性。

    5）这些效应只有当电容的两个极板都是金属或硅化物时才会完全消失。

    6）下图为结电容随偏压变化的一般特性。

图 发射结随偏压变化的一般特性。