无源器件电阻及其版图

    2）标准双极工艺基区方块电阻的典型值范围为100～200Ω/□，并且允许直接在电阻上形成欧姆接触。接触材料不用硅化物的工艺通常具有相当高的接触电阻。

    3）BiCMOS工艺中提供了基区电阻和先进双极工艺的基区方块电阻（300～600Ω/□）通常比标准双极工艺的高，因此需要在接触下面重掺杂以形成可靠的欧姆接触。

    4）基区扩散最适合于制作阻值从50Ω至10kΩ的电阻，更大的电阻通常采用HSR（High　Sheet　Resistor）制作，更小的则采用发射区电阻。

    5）基区方块电阻的控制相对而言比较精确，而且基区电阻的掺杂浓度足够高从而使得隔离岛调制效应最小化。

    6）基区电阻必须置于适合的隔离岛中，或者是标准双极工艺的N型外延层，或者是模拟BiCMOS工艺的N阱。

    7）隔离岛需要包含尽可能多的NBL来减小隔离岛电阻，通过提供从隔离岛到电源的低阻通路，NBL还会同时减小在同一隔离岛内的电阻间噪声耦合。