无源器件电阻及其版图

    8）氢化

    在金属化系统的淀积和刻蚀过程中会引入氢。氢通过消除晶粒间界的悬挂键和氢补偿能够影响多晶硅电阻的阻值。

    氢不能扩散穿过金属，而且金属化系统中采用的某些材料会强烈地吸附氢，因此氢化作用引起的变化常常发生于芯片金属化和暴露部分之间。特别是多晶硅电阻上存在金属板或导线会严重影响他们的值。

    一个电阻阵列中各部分之间的互连能够产生很大的金属诱发失配。图A中电阻阵列显示了一种流行的互联结构，器各部分之间的跳线内这到电阻之上以节省面积。图B电阻阵列显示了另一种互联方式跳线外折可减小金属对电阻有源区的交叠量。

图电阻阵列互连方式比较：（A）内折跳线；（B）外折跳线