无源器件电阻及其版图

    6）光刻效应

    光刻能以不同的方式引入系统适配。曝光过程中会发生光学干扰和侧壁反射，显影过程中会发生刻蚀速率变化。这些机制会引起线宽的变化，对交在的图形结构尤其注意。

    7）扩散相互作用

    扩散的相互作用对匹配的影响与前面讨论的多晶硅刻蚀速率变化的影响类似。阵列边缘的电阻与阵列中间的电阻相比阻值略有不同。在阵列的两端加入虚拟（陪衬）电阻可以消除这一失配，见下图。

图 （A）带有接地虚拟（陪衬）器件的匹配基区扩散电阻阵列