无源器件电阻及其版图

    5）刻蚀速率的变化

    通过刻蚀掺杂多晶硅膜可获得多晶硅电阻。至少在一定程度上，刻蚀速率取决于多晶硅开孔的形状。大的开口可以确保进入更多的刻蚀剂，刻蚀速率比小的开孔快。大开孔边缘侧壁侵蚀严重，这种效应使得距离远的多晶硅图形比紧密放置的图形的宽度要小。尽管这些可是速率变化很多小，但也会引起严重失配。

图 假想的电阻阵列的刻蚀速率变化。

    电阻暴露的外边缘相对于受保护的内部边缘刻蚀的更多

    当很多多晶硅条并排摆放时，只有阵列边缘的电阻条才会收到刻蚀速率变化的影响。虚拟（陪衬）电阻（或刻蚀保护环）常常添加到匹配电阻阵列的两端，见下图。

    另一种较少采用的形式是使用连续的环绕电阻阵列的多晶硅换制作虚拟（陪衬）电阻。

图 （A）未连接的虚拟（陪衬）电阻；（B）连接的虚拟（陪衬）电阻