无源器件电阻及其版图

    2）NSD和PSD属于浅注入，由于侧墙弯曲，其雪崩击穿电压相对较低。

    3）NSD和PSD电阻并不常用，因为大部分CMOS和BiCMOS工艺提供了具有相等或更大方块电阻的多晶硅电阻。

    4）NSD和PSD电阻偶尔用于ESD器件，因为它们的寄生二极管可以起到箝位作用。

    9．N阱电阻

    1）在没有高值薄层多晶硅的CMOS工艺中制作大电阻，这时高值电阻可以用长条形的N阱制作。N阱自身的方块电阻可达10 kΩ/□。使用PSD使N阱收缩甚至可以制作更大的方块电阻。

图　（A）N阱电阻：（B）PSD收缩层的N阱电阻（未显示场板）

    2）没有收缩层的N阱电阻与基区埋层电阻有很多相同的应用，它们呈现出相似的工艺变化和隔离岛调制效应，但N阱电阻通常比基区埋层电阻的温度系数大。

    3）N阱收缩电阻不易受电导调制和电荷分散的影响。

    4）绘制N阱电阻版图的时候，除非绘制图形至少是阱深的两倍宽，否则阱不能达到全部结深，宽度小于上述情况的N阱电阻会呈现出更高的的方块电阻。由于被夹的阱区太薄，基区收缩N阱电阻尤其容易受到这种效应的影响。极端情况下，基区可能会成功地穿通整个狭窄的N阱电阻，使之开路。