无源器件电阻及其版图

    3）多晶硅电阻应该置于场氧化层之上。这样既减小了电阻和衬底之间的电容，又确保了氧化层台阶不会引起不希望发生的阻值变化。在某些BiCMOS工艺中，可以在电阻下面制作深的N+层，由于杂质的增强氧化作用，可以使场氧化层变厚。

    4）包围多晶硅电阻的氧化物导热性较差，过大的功耗会引起局部过热。在温度超过250℃后，退火过程重新开始，由于晶粒边界移动或不完全的杂质激活，会导致阻值发生不可逆的变化。

    5）在大部分的工艺中，多晶硅可以提供最好的电阻。即使多晶硅电阻仅为某些扩散电阻的一半或是三分之一，但是更窄的多晶硅条可以形成更小的版图。而且多晶硅电阻没有隔离岛调制效应。

    6）一些工艺需要额外的掩模板制作多晶硅电阻。下图A为硅化阻挡多晶硅电阻的版图，图B为阻止栅注入的多晶硅电阻的版图。

图（A）硅化阻挡多晶硅电阻的版图；（B）阻止栅注入的多晶硅电阻的版图

    8．NSD和PSD电阻

    1）CMOS和BiCMOS工艺中，扩散电阻可以用NSD和PSD注入形成。这些电阻典型的方块电阻值为20～50Ω/□，并且几乎不受电压调制效应的影响。

图 电阻版图和剖面图：（A）NSD电阻；（B）PSD电阻