无源器件电阻及其版图

    7．多晶硅电阻

    1）CMOS和BiCMOS工艺中提供了多晶硅电阻。重掺杂用作MOS管栅极的多晶硅，其方块电阻约为25～50Ω/□。轻掺杂多晶硅的方块电阻为几百甚至几千欧姆每方块。下图为一个轻掺杂的N型多晶硅构成的多晶硅高值薄层电阻。

图 带有注入端头的高值薄层多晶硅电阻

    2）多晶硅的电阻率不仅取决于掺杂，而且与晶粒结构有关。