无源器件电阻及其版图

    2）对于高阻材料，被夹着的外延层很容易受到严重的电压调制效应的影响。一旦电阻夹断，电流将不再增加，电阻将不受偏压影响。夹断电压与外延厚度，外延掺杂浓度和基区结深有关。

    3）因为外延埋层器件的电压调制效应非常严重，它一般很少用作普通电阻使用，而是用在启动电路中，起限流的作用。

    4）外延埋层电阻的方块电阻的变化很大（不计入电压调制）因此绘制其版图时无需精度的考虑。

    5）在BiCMOS工艺中，可以使用基区和N阱间的夹层做埋层电阻。

    6）在介质隔离的工艺中，可以制作类似外延埋层电阻那样的结构，它是由轻掺杂的N型硅条且在其上进行P型注入的隔离岛构成的。

    6．金属电阻

    1）标准双极工艺金属厚度大约10~15kA，方块电阻一般为20～30 mΩ/□。CMOS工艺较小的特征尺寸规定了金属厚度小于10 kA，对应的方块电阻也就相对大些。下图给出了金属电阻开尔文连接的两种形式。

图 两种形式的开尔文连接金属电阻：（A）单层金属布局；（B）双层金属布局