无源器件电阻及其版图

    2）高压HSR电阻极易发生电荷分散，电导调制也会影响HSR电阻。

    3）HSR注入很浅，从而限制了HSR电阻的击穿电压只是平面击穿的一小部分。大多数HSR电阻仅能承受20-30V的电压。

    4）与基区电阻一样，NBL也总是位于HSR电阻之下。这样不仅可以防止去偏置效应，而且当电阻暂时相对于隔离岛正偏时，可以作为阻挡层阻止少子注入到隔离岛。

    5）要在有限的芯片面积里制作大量的电阻时，HSR电阻很有用。

    6）CMOS和BiCMOS工艺中很少使用HSR电阻，因为掺杂多晶硅是更好的选择。

    5．外延埋层电阻

    1）外延埋层电阻类似于基区埋层电阻，因为其阻性区域被夹在两个结中间以增加方块电阻。电阻层为被衬底和基区夹着的N型外延层。隔离推结时衬底杂质向上扩散，从而形成的有效方块电阻为5～10 KΩ/□。

图 外延埋层电阻的（epi-FET）版图