无源器件电阻及其版图

    3．基区埋层电阻

    1）标准双极工艺和模拟BiCMOS工艺中都可以制作基区埋层电阻。其有效方块电阻的典型值2～10KΩ/□。

图 基区埋层电阻的版图和剖面图

    2）埋层电阻主要用于制作其他扩散层无法低成本实现的高值电阻。

    3）基区埋层电阻的方块电阻的可控性很差，同一个工艺中变化50%较为常见。NBL应置于基区埋层电阻之下，这样NBL上推可以增加其方块电阻。

    4）基区埋层电阻的隔离岛调制约为1%/V的数量级