无源器件电阻及其版图

    2．发射区电阻

    1）标准双极工艺和一些模拟BiCMOS工艺中均提供发射区电阻。

图 发射区电阻的版图和剖面图（注意隔离岛和基区偏置电极的存在）

    2）发射区电阻的方块阻值范围为2～10Ω/□，因此可以直接在发射区上制作接触孔。

    3）由于其较小的方块电阻，发射区是唯一适合于制作较小电阻（0.5～100Ω）的区域。对于发射区电阻可以忽略电压调制和电导调制效应。

    4）发射区电阻必须置于适合的隔离岛中，通常的做法是发射区电阻制作在基区扩散内，基区扩散又制作在一个N阱内。

    5）在标准双极工艺中，发射区电阻常用做功率管整流和电流敏感电阻。在单层金属工艺中广泛用做隧道。

    6）在模拟BiCMOS工艺中，发射区电阻可以直接置入P型外延层内；在标准双极工艺中，可以用包含发射区电阻的基区代替整个隔离岛，从而得到无隔离岛的发射区电阻。

    7）在BiCMOS工艺中发射区电阻不常见，因为低方块的多晶硅电阻更紧密而且不易受到寄生效应的影响。